Рассмотрены отличительные особенности молевых MOSFET и биполярных транзисторов, а также IGBT. Для управления полевым транзистором к затвору относительно истока нужно приложить напряжение. Поскольку область затвора и истока у полевого транзистора разделены диэлектриком, то он практически не потребляет ток. По аналогии с конденсатором, ток протекает лишь в момент заряда затвора.
Биполярные транзисторы требуют наличие тока в цепи между базой и эмиттером. Поэтому такие полупроводниковые приборы называют токовыми.
В области высоких напряжений рационально применение IGBT. Они характеризуются низкой мощностью управления и низким сопротивлением между коллектором и базой в открытом состоянии транзистора. Поэтому данные полупроводниковые приборы широко применяются в качестве ключей силовых преобразователей, например, на электроподвижном составе магистральных железных дорог.
#транзистор #MOSFET #electronicsclub
